Samsung Electronics ha confirmado oficialmente su hoja de ruta tecnológica, estableciendo el año 2027 como la fecha clave para el inicio de la producción en masa de chips con un proceso de 1.4 nanómetros (nm). Esta predicción no es solo una estimación, sino un objetivo operativo dentro de su división de fundición (Samsung Foundry), con el que buscan liderar la fabricación de semiconductores de última generación. El salto a los 1.4nm representará una mejora significativa en la eficiencia energética y la potencia de procesamiento, permitiendo que los dispositivos móviles y los centros de datos de inteligencia artificial alcancen niveles de rendimiento que actualmente no son posibles con la tecnología de 2nm o 3nm.

La estrategia de Samsung para 2027 también incluye la implementación masiva de la arquitectura GAA (Gate-All-Around) de tercera generación, una tecnología estructural que permite un control más preciso de la corriente eléctrica dentro de los transistores. Al reducir el tamaño de los nodos a 1.4nm, la compañía proyecta que podrá integrar una cantidad drásticamente mayor de transistores en el mismo espacio físico, optimizando el consumo de batería en smartphones y acelerando el procesamiento de modelos de lenguaje de gran escala (LLM). Este avance técnico es fundamental para sostener el crecimiento de la IA generativa, que demanda hardware cada vez más compacto y eficiente para operar de manera local en los dispositivos.
Más allá de los transistores, la predicción de Samsung para 2027 contempla una integración profunda de tecnologías de empaquetado 3D y soluciones de memoria de banda ancha (HBM) directamente ligadas al procesador. Esta visión técnica sugiere que para ese año, la arquitectura de los dispositivos electrónicos habrá mutado hacia sistemas donde la memoria y el procesamiento están físicamente más cerca, reduciendo la latencia de datos. Al hacer pública esta hoja de ruta, Samsung envía una señal clara al mercado sobre la viabilidad de la Ley de Moore a corto plazo, asegurando que la infraestructura necesaria para la próxima década de innovación tecnológica ya está en fase de desarrollo activo.

